MOSFET N STMicroelectronics 19.5 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh K5, SuperMESH5

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Code commande RS:
168-7024
Référence fabricant:
STP25N80K5
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

19.5A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-220

Série

MDmesh K5, SuperMESH5

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

260mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.5V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

40nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.6 mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Canal N MDmesh™ série K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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