MOSFET, Canal-N, 9 A 900 V TO-3PN, 3 broches

  • Code commande RS 168-7789
  • Référence fabricant TK9J90E
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : JP
Détail produit

Transistor MOSFET à canal N, séries TK8 et TK9, Toshiba

Transistors MOSFET, Toshiba

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 9 A
Tension Drain Source maximum 900 V
Type de boîtier TO-3PN
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 1,3 Ω
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 4V
Dissipation de puissance maximum 250 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température d'utilisation maximum +150 °C
Largeur 4.5mm
Matériau du transistor Si
Longueur 15.5mm
Hauteur 20mm
Charge de Grille type @ Vgs 46 nC @ 10 V
Série TK
200 En stock pour livraison sous 1 jour(s)
Prix pour l'unité (en tube de 25)
1,824
HT
2,189
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
25 +
1,824 €
45,60 €
*Prix donné à titre indicatif
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