MOSFET, Canal-P, 5 A 30 V SOT-26, 6 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Transistor de puissance MOSFET à canal P, Taiwan Semiconductor

Transistors MOSFET, Taiwan Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal P
Courant continu de Drain maximum 5 A
Tension Drain Source maximum 30 V
Type de boîtier SOT-26
Type de montage CMS
Nombre de broches 6
Résistance Drain Source maximum 100 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 3V
Dissipation de puissance maximum 2 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Largeur 1.7mm
Hauteur 1.1mm
Charge de Grille type @ Vgs 9,52 nC @ 10 V
Longueur 3.1mm
Matériau du transistor Si
Température d'utilisation maximum +150 °C
Température de fonctionnement minimum -55 °C
3000 En stock pour livraison sous 1 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,228
HT
0,274
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 3000
0,228 €
684,00 €
6000 +
0,218 €
654,00 €
*Prix donné à titre indicatif
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