MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 50 A 50 V, 3 broches

Code commande RS:: 170-8302
Référence fabricant:: SQD50N05-11L_GE3
Marque:: Vishay

MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 50 A 50 V, 3 broches

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Code commande RS:: 170-8302
Référence fabricant:: SQD50N05-11L_GE3
Marque:: Vishay

SQD50N05-11L, Automotive N-Channel 50V (Drain-Source) 175degC MOSFET Data Sheet

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	50 A
Tension Drain Source maximum	50 V
Série	SQ Rugged
Type de boîtier	DPAK (TO-252)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	24 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	1.5V
Dissipation de puissance maximum	75 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Largeur	6.22mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Longueur	6.73mm
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs	34,6 nC @ 10 V
Standard automobile	AEC-Q101
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	2.38mm

MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 50 A 50 V, 3 broches

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Transistor MOSFET canal N, série SQ Rugged pour l'automobile, Vishay Semiconductor

Avantages des transistors MOSFET de la série SQ Rugged

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