MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 100 A 40 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 170-8410
- Référence fabricant:
- SQD100N04-3M6L_GE3
- Marque:
- Vishay
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en bobine de 2000)
0,735 €
HT
0,882 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,735 € | 1 470,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 170-8410
- Référence fabricant:
- SQD100N04-3M6L_GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- TW
Détail produit
Transistor MOSFET canal N, série SQ Rugged pour l'automobile, Vishay Semiconductor
La série SQ de transistors MOSFET de Vishay Semiconductor est conçue pour toutes les applications automobiles qui exigent une robustesse et une fiabilité élevée.
Avantages des transistors MOSFET de la série SQ Rugged
• Certifié AEC-Q101
• Température de jonction jusqu'à +175 °C
• Technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant
• Options de boîtier innovantes à gain de place
• Température de jonction jusqu'à +175 °C
• Technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant
• Options de boîtier innovantes à gain de place
Homologations
AEC-Q101
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 100 A |
| Tension Drain Source maximum | 40 V |
| Série | SQ Rugged |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 7 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1.5V |
| Dissipation de puissance maximum | 136 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 6.22mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Longueur | 6.73mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Standard automobile | AEC-Q101 |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 2.38mm |
Nos clients ont également consulté
- MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 100 A 40 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 100 A 60 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 30 A 40 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 40 A 60 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 40 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 4,4 A 850 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 2,6 A 200 V, 3 broches