MOSFET Toshiba canal N, DSOP 300 A 30 V, 8 broches

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	300 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	DSOP
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	1,3 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.3V
Tension de seuil minimale de la grille	1.3V
Dissipation de puissance maximum	142 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	±20 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	5mm
Charge de Grille type @ Vgs	74 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	5mm
Tension directe de la diode	1.2V
Hauteur	0.73mm