MOSFET Taiwan Semiconductor canal N, DPAK (TO-252) 8 A 700 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 171-3655
- Référence fabricant:
- TSM70N600CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
En cours d'approvisionnement
Ajouté
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
4,311 €
HT
5,173 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 10 + | 4,311 € | 43,11 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 171-3655
- Référence fabricant:
- TSM70N600CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Taiwan Semiconductor 800 V, 7 A, 0. Le transistor MOSFET de puissance à canal N 6 Ω, 3 broches est doté d'une configuration à transistor simple et d'un mode de canal d'amélioration. Il est généralement utilisé dans les applications d'alimentation et d'éclairage.
Technologie Super-Junction
Performances élevées grâce à un petit facteur de mérite
Performances de robustesse élevées
Performances de commutation élevées
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C.
Dissipation de puissance max. de 83 W.
Plage de tension de seuil de porte entre 2 V et 4 V.
Performances élevées grâce à un petit facteur de mérite
Performances de robustesse élevées
Performances de commutation élevées
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C.
Dissipation de puissance max. de 83 W.
Plage de tension de seuil de porte entre 2 V et 4 V.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 8 A |
| Tension Drain Source maximum | 700 V |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 600 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 83 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±30 V |
| Longueur | 6.6mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 12,6 nC @ 10 V |
| Largeur | 6.1mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Tension directe de la diode | 1.4V |
| Hauteur | 2.3mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |