MOSFET Taiwan Semiconductor canal N, A-220 7 A 900 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 171-3673
- Référence fabricant:
- TSM7N90CZ C0G
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 171-3673
- Référence fabricant:
- TSM7N90CZ C0G
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le Taiwan Semiconductor 900 V, 7 A, 1. Le transistor MOSFET de puissance à canal N 9 Ω, 3 broches est doté d'une configuration à transistor simple et d'un mode de canal d'amélioration. Il est généralement utilisé dans les applications d'alimentation et d'éclairage.
Faible RDS(on) 1,9 Ω (max.)
Faible charge de grille typique @ 49nC (typ.)
Amélioration de la capacité dV/dt
Placage compatible sans plomb
Conforme à la directive RoHS 2011/65/EU et conformément à WEE 2002/96/EC
Sans halogène conformément à la définition CEI 61249-2-21
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C.
Dissipation de puissance max. 250 W.
Plage de tension de seuil de porte entre 2 V et 4 V.
Faible charge de grille typique @ 49nC (typ.)
Amélioration de la capacité dV/dt
Placage compatible sans plomb
Conforme à la directive RoHS 2011/65/EU et conformément à WEE 2002/96/EC
Sans halogène conformément à la définition CEI 61249-2-21
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C.
Dissipation de puissance max. 250 W.
Plage de tension de seuil de porte entre 2 V et 4 V.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 7 A |
| Tension Drain Source maximum | 900 V |
| Type de boîtier | A-220 |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 1,9 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 250 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±30 V |
| Charge de Grille type @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Longueur | 10mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Largeur | 4.19mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Hauteur | 14.25mm |
| Tension directe de la diode | 1.4V |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |