MOSFET onsemi canal N, WDFN 29 A 30 V, 8 broches

Code commande RS:: 171-8365
Référence fabricant:: NTTFS4C02NTAG
Marque:: onsemi

MOSFET onsemi canal N, WDFN 29 A 30 V, 8 broches

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Code commande RS:: 171-8365
Référence fabricant:: NTTFS4C02NTAG
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet

Législation et Conformité

Détail produit

Canal N simple de transmission MOSFET 2,25 ohms 170 A 30 V μ8FL

Faible RDS (marche) pour réduire les pertes de conduction
Faible capacité pour réduire les pertes de commande
Charge de grille optimisée pour réduire les pertes de commutation
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR
Applications
Convertisseurs c.c./c.c.
Commutateur de charge de puissance
Gestion de batterie pour ordinateur portable

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	29 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	WDFN
Série	NTTFS4C02N
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	3,1 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.2V
Tension de seuil minimale de la grille	1.3V
Dissipation de puissance maximum	4,2 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	±20 V
Longueur	3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs	20 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	3.15mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	0.75mm
Tension directe de la diode	1.1V

MOSFET onsemi canal N, WDFN 29 A 30 V, 8 broches

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