MOSFET, N/P-Channel TSMT, 8 broches

  • Code commande RS 172-0348
  • Référence fabricant QH8MA3TCR
  • Marque ROHM
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Le transistor MOSFET de puissance moyenne QH8MA3 est adapté à l'alimentation de commutation.

Faible résistance à l'état passant.
Boîtier de montage en surface compact (TSMT8).
Placage sans plomb.
Sans halogène

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N, P
Courant continu de Drain maximum 5,5 A (canal P), 7 A (canal N)
Tension Drain Source maximum 30 V
Type de boîtier TSMT
Type de montage CMS
Nombre de broches 8
Résistance Drain Source maximum 46 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V
Tension de seuil minimale de la grille 1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V
Dissipation de puissance maximum 2,5 W
Tension Grille Source maximum ±20 V
Nombre d'éléments par circuit 2
Tension directe de la diode 1.2V
Série QH8MA3
Largeur 2.5mm
Charge de Grille type @ Vgs 7,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum +150 °C
Longueur 3.1mm
Hauteur 0.8mm
En stock à partir du 10/06/2020, livraison sous 5 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,205
HT
0,246
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 3000
0,205 €
615,00 €
6000 - 6000
0,197 €
591,00 €
9000 +
0,188 €
564,00 €
*Prix donné à titre indicatif
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