MOSFET 2 canal Type N Double onsemi 111 A 60 V Enrichissement, 8 broches, DFN NVMFD5C650NL AEC-Q101

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Code commande RS:
172-3293
Référence fabricant:
NVMFD5C650NLWFT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

111A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

DFN

Série

NVMFD5C650NL

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

5.8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

16nC

Tension directe Vf

0.9V

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

6.1mm

Hauteur

1.05mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles dans un boîtier à câble plat 5 x 6 mm conçu pour les conceptions compactes et efficaces et offrant d'excellentes performances thermiques. Option de flanc mouillable disponible pour l'inspection optique améliorée. Compatible MOSFET et PPAP, adapté aux applications automobiles.

Encombrement réduit (5 x 6 mm)

Conception compacte

Faible RDS (marche)

Minimise les pertes de conduction

Faible QG et capacité

Minimise les pertes de commande

NVMFD5C446NLWF − Option de flanc mouillable

Inspection optique améliorée

Compatible PPAP

Applications

Driver de solénoïde

Driver basse puissance/haute puissance

Contrôleurs de moteurs automobiles

Systèmes de freinage antiblocage

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