MOSFET onsemi canal N, SOIC, 8 broches

Le NCP81080 est un CI de commande de grille à transistor MOSFET double haute performance (haute puissance et faible puissance) conçu pour pilotage de transistors MOSFET fonctionnant jusqu'à 180 V. Le NCP81080 intègre un CI de driver et une diode d'amorçage et offre un courant source de 0,5 A et une capacité de dissipation de 0,8 A. Un circuit éliminant la conduction croisée est intégré pour éviter les problèmes transversaux. Les pilotes haute puissance et faible puissance sont contrôlés de manière indépendante.

Pilote deux transistors MOSFET à canal N haute puissance et faible puissance
Diode d'amorçage intégrée pour commande de grille haute puissance
Plage de tension d'alimentation d'amorçage allant jusqu'à 180 V
Courant de source de 0,5 A, capacité de dissipation de courant de sortie de 0,8 A
Commande de charges de 1 nF avec des temps de montée/descente typiques de 19 ns/17 ns
Large plage de tensions d'alimentation de 5,5 à 20 V
Correspondance de délai de 2 ns (typique)
Protection de verrouillage de sous-tension (UVLO) pour la tension de commande
Plage de températures de jonction de -40 à 140 °C