MOSFET onsemi canal N, A-247 40 A 650 V, 3 broches

Le transistor MOSFET SuperFET® III est la toute nouvelle gamme de transistors MOSFET haute tension Super Junction (SJ) de ON Semiconductor utilisant la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente faible résistance à l'état passant et une performance de charge de grille plus basse. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, le transistor MOSFET SuperFET III est parfaitement adapté pour divers systèmes d'alimentation en termes de miniaturisation et de rendement plus élevé. Les performances de récupération inverse optimisées du transistor MOSFET SuperFET III FRFET® peuvent éliminer des composants supplémentaires et améliorer la fiabilité du système.

700 V @ TJ = 150 °C
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Très faible charge de grille (typ. Qg = 81 nC)
Perte de commutation plus faible
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 722 pF)
Perte de commutation plus faible
Excellentes performances de la diode à corps (faible Qrr, diode à corps robuste)
Plus grande fiabilité du système dans le circuit de pont complet à décalage déphasé et LLC
Capacité optimisée
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
typ. RDS(on) = 70 mΩ
Applications
Télécommunication
Système Cloud
Industrie
Alimentation de télécommunication
Alimentation de serveur
Chargeur de véhicule électrique
Solaire/onduleur