MOSFET canal N Microchip 170 mA 400 V Épuisement, 3 broches, TO-243 DN2540
- Code commande RS:
- 177-3294P
- Référence fabricant:
- DN2540N8-G
- Marque:
- Microchip
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|---|---|
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- Code commande RS:
- 177-3294P
- Référence fabricant:
- DN2540N8-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 170mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 400V | |
| Type de Boitier | TO-243 | |
| Série | DN2540 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 25Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.6W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 4.6mm | |
| Largeur | 2.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 170mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 400V | ||
Type de Boitier TO-243 | ||
Série DN2540 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 25Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.6W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 4.6mm | ||
Largeur 2.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- US
Le DN2540 est un transistor (normalement actif) à mode de déplétion à faible seuil utilisant une structure DMOS verticale avancée et un procédé de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont idéalement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification dans lesquelles une haute tension de coupure, une forte impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée, et des commutations rapides sont souhaitées.
Caractéristiques supplémentaires :
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à l'état passant
Sans coupure auxiliaire Faible courant de fuite en entrée et en sortie