MOSFET Microchip canal N, TO-92 350 mA 60 V, 3 broches

Le transistor MOSFET canal N à montage traversant de Microchip Technology est un nouveau produit d'âge avec une résistance de drain-source de 3 ohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une tension source de drain de 60 V et d'une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'un courant de drain continu de 350 mA et d'une dissipation de puissance maximale de 1 W. La tension d'entraînement minimum et maximum pour ce transistor MOSFET est de 4,5 V et 10 V respectivement. Le transistor MOSFET est un transistor à mode d'enrichissement (normalement désactivé) qui utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication de grille en silicium éprouvé. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique significative de toutes les structures MOS, ce dispositif est exempt de l'emballement thermique et de la rupture secondaire causée thermiquement. Ce transistor FET DMOS vertical a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Facilité de mise en parallèle
• Excellente stabilité thermique
• Sans coupure secondaire
Impédance d'entrée élevée et gain élevé
• Diode de drain de source intégrée
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
• Faible consommation d'énergie requise
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.

• Commutateurs analogiques
Systèmes alimentés par batterie
• Conducteurs de ligne à usage général
• Interfaces de niveau logique - idéales pour TTL et CMOS
• Entraîneurs photo-volatiles
• Relais statiques
• Commutateurs de télécommunication

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
JEDEC