MOSFET P Microchip 160 mA 500 V Enrichissement, 3 broches, SOT-89 VP2450
- Code commande RS:
- 177-9737P
- Référence fabricant:
- VP2450N8-G
- Marque:
- Microchip
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 5 + | 1,612 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 177-9737P
- Référence fabricant:
- VP2450N8-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 160mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Série | VP2450 | |
| Type de Boitier | SOT-89 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 35Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | -1.8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.6W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 4.6mm | |
| Largeur | 2.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 160mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Série VP2450 | ||
Type de Boitier SOT-89 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 35Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf -1.8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.6W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 4.6mm | ||
Largeur 2.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- US
Ce transistor (normalement fermé) à mode d'appauvrissement à faible seuil utilise une structure DMOS verticale et un procédé de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont parfaitement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification, dans lesquelles une très basse tension de seuil, une haute tension de coupure, une forte impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée et des commutations rapides sont souhaitées.
Libre de débitage secondaire
Faible puissance d'entraînement requise
Plus grande facilité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Impédance d'entrée et gain élevés
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée