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Transistors MOSFET
MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 18 A 200 V, 3 broches
Code commande RS:
178-0826
Référence fabricant:
IRF640SPBF
Marque:
Vishay
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Ce produit n’est plus distribué
Code commande RS:
178-0826
Référence fabricant:
IRF640SPBF
Marque:
Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Caractéristiques techniques
Datasheet
Déclaration de conformité RoHS
Déclaration de conformité
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Attribut
Valeur
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
130 W
Configuration du transistor
Simple
Tension Grille Source maximum
-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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