MOSFET canal N Vishay Siliconix 2 A 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 178-3877P
- Référence fabricant:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
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- Code commande RS:
- 178-3877P
- Référence fabricant:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 600mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Hauteur | 1.02mm | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 600mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.4mm | ||
Hauteur 1.02mm | ||
Longueur 3.04mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal N à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 240 mohms à une tension de grille-source de 4,5 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 3 W et d'un courant de drain continu de 2 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 1,5 et 4,5 V. Il est utilisé dans les applications automobiles. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Certifications
AEC-Q101
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU