MOSFET canal N Vishay Siliconix 12 A 60 V Enrichissement, 6 broches, SC-70-6L TrenchFET
- Code commande RS:
- 178-3901P
- Référence fabricant:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
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- Code commande RS:
- 178-3901P
- Référence fabricant:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SC-70-6L | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0185Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 19W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.2mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.35mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SC-70-6L | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0185Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 19W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.2mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.35mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
Très faible facteur de mérite (FOM) RDS - Qg
Réglé pour le plus faible RDS - Qoss