MOSFET canal N Vishay Siliconix 100 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total 50 unités (conditionné une bande continue)*

130,30 €

HT

156,35 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 2 820 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
50 - 952,606 €
100 - 4952,47 €
500 - 9952,32 €
1000 +2,03 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
178-3934P
Référence fabricant:
SiDR392DP-T1-GE3
Marque:
Vishay Siliconix
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay Siliconix

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SO-8

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

900μΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Tension directe Vf

1.1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

6V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

125nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.07mm

Longueur

5.99mm

Standard automobile

Non

Statut RoHS : Exempté

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV

La fonction de refroidissement par le haut offre un emplacement supplémentaire de transfert thermique

Le rapport Qg, Qgd et Qgd/Qgs optimisé réduit la perte de puissance liée à la commutation

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.