MOSFET P Vishay Siliconix 100 A 40 V Enrichissement, 4 broches, TO-252 TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 178-3960P
- Référence fabricant:
- SQD40061EL_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-3960P
- Référence fabricant:
- SQD40061EL_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 107W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | -1.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 185nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 2.38mm | |
| Hauteur | 6.22mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 107W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf -1.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 185nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.73mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 2.38mm | ||
Hauteur 6.22mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- TW
MOSFET de puissance TrenchFET®
Boîtier avec une faible résistance thermique