MOSFET canal N Vishay Siliconix 14.2 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 SiS110DN
- Code commande RS:
- 178-3962P
- Référence fabricant:
- SiS110DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-3962P
- Référence fabricant:
- SiS110DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 14.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212 | |
| Série | SiS110DN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 70mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 24W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.15mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 1.07mm | |
| Longueur | 3.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 14.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212 | ||
Série SiS110DN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 70mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 24W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.15mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 1.07mm | ||
Longueur 3.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET série SiS110DN de Vishay, tension de source de drain de 100 V, courant de drain continu de 14,2 A - SiS110DN-T1-GE3
Ce MOSFET est un transistor à canal N à montage en surface conçu pour la commutation et la gestion de l'alimentation dans les assemblages électroniques compacts. Il fonctionne dans une large plage ambiante et est destiné aux applications nécessitant un équilibre entre la gestion de la tension, la capacité de courant et la charge de grille modérée pour un contrôle efficace.
Caractéristiques et avantages :
• La tolérance de drain de 100 V permet une capacité de commutation haute tension
• Le faible RDS(on) de 70 mΩ réduit les pertes par conduction
• Le courant de drain continu de 14,2 A prend en charge des courants de charge substantiels
• La dissipation de puissance de 24 W permet une gestion de puissance soutenue
• La charge de grille typique de 8,5 nC facilite la commande de grille réactive
• La valeur nominale grille-source de ±20 V offre une marge de tension de grille robuste
• Le faible RDS(on) de 70 mΩ réduit les pertes par conduction
• Le courant de drain continu de 14,2 A prend en charge des courants de charge substantiels
• La dissipation de puissance de 24 W permet une gestion de puissance soutenue
• La charge de grille typique de 8,5 nC facilite la commande de grille réactive
• La valeur nominale grille-source de ±20 V offre une marge de tension de grille robuste
Applications
• Convient aux étapes de commutation des convertisseurs c.c.-c.c.
• Idéal pour la commutation low-side de l'entraînement du moteur
• Utilisé avec le redressement synchrone dans les alimentations
• Peut être utilisé pour la commutation de charge dans les équipements de télécommunications
• Adapté à la gestion des batteries et à la distribution d'énergie
• Idéal pour la commutation low-side de l'entraînement du moteur
• Utilisé avec le redressement synchrone dans les alimentations
• Peut être utilisé pour la commutation de charge dans les équipements de télécommunications
• Adapté à la gestion des batteries et à la distribution d'énergie
À quelle plage thermique puis-je m'attendre pour un fonctionnement fiable?
Le dispositif est conçu pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements présentant de fortes variations de température.
Comment le boîtier prend-il en charge l'assemblage et le refroidissement des circuits imprimés?
Il est fourni dans un boîtier compact PowerPAK1212 pour un montage en surface bas profil et un transfert thermique raisonnable vers le circuit imprimé.
Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille qui s'appliquent compte tenu de la charge de grille?
Avec une charge de grille typique de 8,5 nC, les drivers de grille doivent alimenter et absorber suffisamment de courant pour commuter à la vitesse souhaitée sans pertes excessives.
Y a-t-il des restrictions réglementaires pour ce composant?
Le composant est conforme aux exigences RoHS pour les substances réglementées dans les assemblages électroniques.