MOSFET Vishay

Le transistor MOSFET PowerPAK-SO-8 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 150 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 105 mohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 3,5 W et d'un courant de drain continu de 4,1 A. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Double transistor MOSFET pour des économies d'espace
• Sans halogène
Composant sans plomb (Pb)
• Faible résistance dans le nouveau boîtier PowerPAK à faible résistance thermique
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Convertisseurs demi-pont et avant
• Commutateurs latéraux primaires à haut rendement

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg