MOSFET Vishay

Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-263-3 à canal N, un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 150 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 52 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 136W. Il peut être utilisé dans le commutateur latéral principal. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Composant sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
• PWM optimisé
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET