Références fabricant

MOSFET 2 canal Type P, Type N Double Vishay 5.3 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET Non

Code commande RS:: 180-8097P
Référence fabricant:: SI4559ADY-T1-E3
Marque:: Vishay

MOSFET 2 canal Type P, Type N Double Vishay 5.3 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET Non

Sous-total (5 unités, conditionné une bande continue)*

11,40 €

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Code commande RS:: 180-8097P
Référence fabricant:: SI4559ADY-T1-E3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P, Type N
	Courant continu de Drain maximum Id	5.3A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	SO-8
	Série	TrenchFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.58Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	3.4W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Tension directe Vf	1.2V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	6nC
	Configuration du transistor	Double
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	4mm
	Normes/homologations	IEC 61249-2-21
	Hauteur	1.75mm
	Longueur	5mm
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P, Type N
	Courant continu de Drain maximum Id 5.3A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier SO-8
	Série TrenchFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.58Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 3.4W
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Tension directe Vf 1.2V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 6nC
	Configuration du transistor Double
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 4mm
	Normes/homologations IEC 61249-2-21
	Hauteur 1.75mm
	Longueur 5mm
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET de Vishay

Le transistor MOSFET à canal double à montage en surface de Vishay (canaux P et N) est un nouveau produit d'âge avec une résistance de drain-source de 58 Mohm à une tension de grille-source de Il est doté d'une tension drain-source de 60 V. Il est doté de courants de drain continus de 5,3 A et de 3,9 A. Sa puissance nominale maximale est de 3,4 W. Il a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité. Il est applicable dans les inverseurs CCFL.

Caractéristiques et avantages

• Sans halogène

Sans plomb (Pb)

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Certifications

ANSI/ESD S20.20:2014

BS EN 61340-5-1:2007

CEI 61249-2-21

• testé Rg

Testé par l'ISU

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