MOSFET Vishay canal P, SOT-23 4,1 A 40 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 180-8138
- Référence fabricant:
- SQ2389ES-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
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Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (par multiple de 20)
0,532 €
HT
0,638 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
---|---|---|
20 - 180 | 0,532 € | 10,64 € |
200 - 480 | 0,405 € | 8,10 € |
500 - 980 | 0,319 € | 6,38 € |
1000 - 1980 | 0,266 € | 5,32 € |
2000 + | 0,239 € | 4,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-8138
- Référence fabricant:
- SQ2389ES-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal P à montage en surface de Vishay est un nouveau produit à âge avec une tension source de drain de 40 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 94 mm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 3 W et d'un courant de drain continu de 4,1 A. La tension d'entraînement minimum et maximum pour ce transistor MOSFET est de 4,5 V et 10 V respectivement. Il est utilisé dans les applications automobiles. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Certifications
AEC-Q101
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | P |
Courant continu de Drain maximum | 4,1 A |
Tension Drain Source maximum | 40 V |
Série | TrenchFET |
Type de boîtier | SOT-23 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 0,188 O |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 2.5V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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