MOSFET Vishay

Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-263-3 à canal N, un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 400 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 10 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 74 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

• Capacité entièrement caractérisée et tension et courant d'avalanche
Composant sans halogène et plomb (Pb)
Amélioration de la porte, des avalanches et du dV/dt dynamique
• Une faible charge de grille Qg entraîne une simple exigence de commande
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Commutation de puissance haute vitesse
Alimentation à découpage (SMPS)
• Les onduleurs