MOSFET Vishay

Le transistor MOSFET de Vishay est un canal N, un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 250 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 280 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 40 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Valeur nominale dV/dt dynamique
• Isolation haute tension = 2,5 kVRMS (t = 60 s, f = 60 Hz)
Boîtier isolé
Composant sans plomb (Pb)
Faible résistance thermique
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
La distance de fuite entre le dissipateur et le câble est de 4,8 mm

• Chargeurs de batterie
• Inverseurs
• Alimentations
Alimentation à découpage (SMPS)