MOSFET Vishay

Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-220-3 à canal N, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 100 V et une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 77 Mohm à une tension de grille-source de 5 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 150 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Valeur nominale dV/dt dynamique
Facilité de mise en parallèle
Commutation rapide
Composant sans plomb (Pb)
• Commande de grille de niveau logique
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Le RDS (on) spécifié à VGS est de 4 V et 5 V.
Protection contre les avalanches répétitives

• Chargeurs de batterie
• Inverseurs
• Alimentations
Alimentation à découpage (SMPS)