MOSFET canal N DiodesZetex 8 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 DMN AEC-Q101
- Code commande RS:
- 182-7095
- Référence fabricant:
- DMN6069SE-13
- Marque:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,309 € | 15,45 € |
| 250 - 450 | 0,27 € | 13,50 € |
| 500 - 950 | 0,216 € | 10,80 € |
| 1000 - 1950 | 0,181 € | 9,05 € |
| 2000 + | 0,166 € | 8,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 182-7095
- Référence fabricant:
- DMN6069SE-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | DMN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 100mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 16nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 11W | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.55mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.65mm | |
| Longueur | 6.55mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série DMN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 100mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 16nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 11W | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.55mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.65mm | ||
Longueur 6.55mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ce transistor MOSFET de nouvelle génération est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant d’excellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Applications
Commande de moteur
Interrupteur de contrôle de transformateur
Convertisseurs c.c.-c.c.
Fonctions de gestion de l'alimentation
Alimentation ininterrompue
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