MOSFET P DiodesZetex 4.3 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 DMP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 182-7098
- Référence fabricant:
- DMP2045U-7
- Marque:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 182-7098
- Référence fabricant:
- DMP2045U-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | DMP | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 90mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.2W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Longueur | 3mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série DMP | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 90mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.2W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.4mm | ||
Longueur 3mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Ce transistor MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant d’excellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Faible résistance à état passant
Faible capacité d'entrée
Vitesse de commutation élevée
Faible courant de fuite d'entrée/sortie
Grille protégée ESD
Entièrement sans plomb
Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique
Applications
Convertisseurs c.c.-c.c.
Fonctions de gestion de l'alimentation
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