MOSFET de puissance MDmesh canal N STMicroelectronics 11 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STB11NM80
- Code commande RS:
- 188-8461P
- Référence fabricant:
- STB11NM80T4
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 188-8461P
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- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance MDmesh | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Série | STB11NM80 | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Tension directe Vf | 860mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Largeur | 9.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 4.37mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance MDmesh | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Série STB11NM80 | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 43.6nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Tension directe Vf 860mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.4mm | ||
Largeur 9.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 4.37mm | ||
Standard automobile Non | ||
Ces transistors MOSFET de puissance à canal N sont développés à l'aide de la technologie MDmesh TM révolutionnaire de STMicroelectronics, qui associe le processus de drain multiple à la disposition horizontale PowerMESH TM de l'entreprise. Ces dispositifs offrent une très faible résistance à l'état passant, une haute dv/dt et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. Utilisant la technique de bande propriétaire de ST, ces transistors MOSFET de puissance offrent une performance dynamique globale supérieure aux produits similaires sur le marché.
Faible capacité d'entrée et charge de grille
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Applications
Applications de commutation