MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 7 A, 3 broches

Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.

Ces dispositifs sont des transistors MOSFET de puissance MDmesh TM V à canal N basés sur une technologie de processus vertical propriétaire innovante, qui est combinée à la structure de disposition horizontale PowerMESH TM bien connue de STMicroelectronics. Le produit résultant est doté d'une très faible résistance à l'état passant, qui est inégalée parmi les transistors MOSFET de puissance à base de silicium, ce qui le rend particulièrement adapté pour les applications qui exigent une densité de puissance supérieure et un rendement exceptionnel.

Meilleure zone RDS(on) dans le monde entier
VDSSrating plus élevé
Haute capacité dv/dt
Excellentes performances de commutation
Facile à piloter
Applications
Applications de commutation

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics