MOSFET canal N STMicroelectronics 13 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STB
- Code commande RS:
- 192-4936P
- Référence fabricant:
- STB18N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 120 | 2,72 € |
| 125 + | 2,23 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 192-4936P
- Référence fabricant:
- STB18N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | STB | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 280mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 4.37mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 9.35mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série STB | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 280mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 4.37mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 9.35mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La nouvelle technologie MDmesh M6 intègre les progrès les plus récents dans la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. STMicroelectronics s'appuie sur la génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6, qui combine une excellente amélioration RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour un rendement maximal de l'application finale.
Pertes de commutation réduites
RDS(on) inférieur par zone par rapport à la génération précédente
Faible résistance d'entrée de grille
Protégé contre les Zener