1 canal N Simple STMicroelectronics 25 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 Non
- Code commande RS:
- 192-4952P
- Référence fabricant:
- STP26N65DM2
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 192-4952P
- Référence fabricant:
- STP26N65DM2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Type de canal | N | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 25 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 650 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Standard automobile | Non | |
| Tension directe (Vf) | 1.6 V | |
| Hauteur | 15.75 mm | |
| Longueur | 10.4 mm | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 190 Ω | |
| Tension maximale de source de la grille (Vgs) | 25 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150 °C | |
| Dissipation de puissance maximum (Pd) | 160 W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Type de montage | En surface, Traversant, Traversant | |
| Normes/homologations | FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | |
| Charge de porte typique (Qg) @ Vgs | 35.5 nC | |
| Largeur | 4.6 mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Type de canal N | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 25 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 650 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 3 | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Standard automobile Non | ||
Tension directe (Vf) 1.6 V | ||
Hauteur 15.75 mm | ||
Longueur 10.4 mm | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 190 Ω | ||
Tension maximale de source de la grille (Vgs) 25 V | ||
Température d'utilisation maximum 150 °C | ||
Dissipation de puissance maximum (Pd) 160 W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Type de montage En surface, Traversant, Traversant | ||
Normes/homologations FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | ||
Charge de porte typique (Qg) @ Vgs 35.5 nC | ||
Largeur 4.6 mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and Ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected