MOSFET canal N STMicroelectronics 53 A 300 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh M5
- Code commande RS:
- 192-4977P
- Référence fabricant:
- STB45N30M5
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total 20 unités (conditionné une bande continue)*
134,00 €
HT
160,80 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 08 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 20 - 48 | 6,70 € |
| 50 + | 5,585 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 192-4977P
- Référence fabricant:
- STB45N30M5
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 53A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 300V | |
| Série | MDmesh M5 | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.04Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 95nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 9.35mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 4.37mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 53A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 300V | ||
Série MDmesh M5 | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.04Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 95nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 9.35mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 4.37mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance à canal N basé sur la technologie de processus vertical innovante MDmesh TM M5 combinée à la disposition horizontale PowerMESH TM bien connue. Le produit qui en résulte offre une très faible résistance à l'état passant, ce qui le rend particulièrement adapté pour les applications nécessitant une puissance élevée et un rendement supérieur.
RDS(on) extrêmement faible
Faible charge de grille et capacité d'entrée
Excellentes performances de commutation