1 canal N Simple STMicroelectronics 13 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP Mdmesh M6 Non
- Code commande RS:
- 192-5002P
- Référence fabricant:
- STF18N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 192-5002P
- Référence fabricant:
- STF18N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Type de canal | N | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 13 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 600 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Type de Boitier | TO-220FP | |
| Série | Mdmesh M6 | |
| Standard automobile | Non | |
| Tension directe (Vf) | 1.6 V | |
| Hauteur | 16.4 mm | |
| Longueur | 10.4 mm | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 280 mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille (Vgs) | 25 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150 °C | |
| Dissipation de puissance maximum (Pd) | 25 W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Type de montage | Traversant, Traversant | |
| Normes/homologations | No | |
| Charge de porte typique (Qg) @ Vgs | 16.8 nC | |
| Largeur | 4.6 mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Type de canal N | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 13 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 600 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 3 | ||
Type de Boitier TO-220FP | ||
Série Mdmesh M6 | ||
Standard automobile Non | ||
Tension directe (Vf) 1.6 V | ||
Hauteur 16.4 mm | ||
Longueur 10.4 mm | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 280 mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille (Vgs) 25 V | ||
Température d'utilisation maximum 150 °C | ||
Dissipation de puissance maximum (Pd) 25 W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Type de montage Traversant, Traversant | ||
Normes/homologations No | ||
Charge de porte typique (Qg) @ Vgs 16.8 nC | ||
Largeur 4.6 mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected