1 canal Type N, Type N Simple STMicroelectronics 13 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP Mdmesh M6 Non
- Code commande RS:
- 192-5002P
- Référence fabricant:
- STF18N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 192-5002P
- Référence fabricant:
- STF18N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N, Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-220FP | |
| Série | Mdmesh M6 | |
| Type de montage | Traversant, Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 280mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 25W | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 16.4mm | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N, Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-220FP | ||
Série Mdmesh M6 | ||
Type de montage Traversant, Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 280mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 25W | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 16.4mm | ||
Largeur 4.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.4mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La nouvelle technologie MDmeshTM M6 intègre les dernières avancées de la famille MDmesh bien connue et consolidée de transistors MOSFET SJ. STMicroelectronics s'appuie sur la génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6, qui combine une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour une efficacité maximale de l'application finale.
Pertes de commutation réduites
RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente
Faible résistance d'entrée de grille
Protégé par Zener