MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 72 A 600 V, 3 broches

Ces transistors MOSFET de puissance à canal N haute tension font partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration de la zone RDS(on) * avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs de décalage de phase ZVS.

Diode de corps à récupération rapide
RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Capacité dv/dt extrêmement élevée
Protégé contre les Zener