MOSFET canal N STMicroelectronics 45 A 650 V Enrichissement, 3 broches, Hip-247 SCTW35
- Code commande RS:
- 201-0860P
- Référence fabricant:
- SCTW35N65G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total 600 unités (conditionné en tube)*
7 476,00 €
HT
8 970,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 843 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 600 + | 12,46 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 201-0860P
- Référence fabricant:
- SCTW35N65G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 45A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Série | SCTW35 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 73nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 240W | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Longueur | 14.8mm | |
| Hauteur | 15.75mm | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 45A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Série SCTW35 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 73nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 240W | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Longueur 14.8mm | ||
Hauteur 15.75mm | ||
Largeur 5.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium 650 V STMicroelectronics est doté d'une intensité nominale de 45 A et d'une résistance de drain à source de 45 m Ohm. Il est doté d'une faible résistance à l'état passant par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Capacité faible