MOSFET N STMicroelectronics 45 A 650 V Enrichissement, 3 broches, Hip-247 SCTW35
- Code commande RS:
- 201-0860P
- Référence fabricant:
- SCTW35N65G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 5 - 9 | 13,23 € |
| 10 - 24 | 12,88 € |
| 25 - 49 | 12,55 € |
| 50 + | 12,24 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 201-0860P
- Référence fabricant:
- SCTW35N65G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 45A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | SCTW35 | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 240W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 73nC | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Longueur | 14.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 15.75mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 45A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série SCTW35 | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 240W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 73nC | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Longueur 14.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 15.75mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium 650 V STMicroelectronics est doté d'une intensité nominale de 45 A et d'une résistance de drain à source de 45 m Ohm. Il est doté d'une faible résistance à l'état passant par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Capacité faible