MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-7 116 A 650 V, 7 broches

Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics 650 V est doté d'une intensité nominale de 116 A et d'une résistance de drain à source de 18 m Ohm. Il est doté d'une faible résistance à l'état passant par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.

Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement (TJ = 175 °C)
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Très faible charge de grille et capacités d'entrée