MOSFET canal N STMicroelectronics 45 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCTH35
- Code commande RS:
- 201-0891P
- Référence fabricant:
- SCTH35N65G2V-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 201-0891P
- Référence fabricant:
- SCTH35N65G2V-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 45A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Série | SCTH35 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.055Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 45A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Série SCTH35 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.055Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium de 650 V de STMicroelectronics est doté d'un courant nominal de 45 A et Résistance drain-source 55 m Ohm. Il est doté d'une faible résistance sous tension par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de la perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
Faible capacitance