MOSFET canal N STMicroelectronics 45 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCTH35
- Code commande RS:
- 201-0891P
- Référence fabricant:
- SCTH35N65G2V-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 201-0891P
- Référence fabricant:
- SCTH35N65G2V-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 45 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 650 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Série | SCTH35 | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 0.055 Ω | |
| Type de montage | En surface | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 45 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 650 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 7 | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Série SCTH35 | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 0.055 Ω | ||
Type de montage En surface | ||
The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 55m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance