MOSFET N STMicroelectronics 20 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK-2 SiC MOSFET
- Code commande RS:
- 201-4416P
- Référence fabricant:
- SCT20N120H
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 99 | 10,21 € |
| 100 - 249 | 10,08 € |
| 250 - 499 | 9,96 € |
| 500 + | 9,84 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 201-4416P
- Référence fabricant:
- SCT20N120H
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | SiC MOSFET | |
| Type de Boitier | H2PAK-2 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 203mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 45nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 15.8mm | |
| Hauteur | 10.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série SiC MOSFET | ||
Type de Boitier H2PAK-2 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 203mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 45nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 15.8mm | ||
Hauteur 10.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Le matériau SiC offre des propriétés thermiques remarquables.
Variation très étroite de la résistance à l'état passant par max.
Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Capacité faible