MOSFET N STMicroelectronics 10 A 480 V Épuisement, 3 broches, TO-252 STD
- Code commande RS:
- 202-4809P
- Référence fabricant:
- STD13N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total 50 unités (conditionné une bande continue)*
51,60 €
HT
61,90 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 1 640 unité(s) expédiée(s) à partir du 31 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 245 | 1,032 € |
| 250 - 495 | 1,018 € |
| 500 + | 1,006 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 202-4809P
- Référence fabricant:
- STD13N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 480V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | STD | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 380mΩ | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 92W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 2.4mm | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 10.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 480V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série STD | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 380mΩ | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 92W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 2.4mm | ||
Longueur 6.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 10.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics à canal N MDmesh M6 dans un boîtier DPAK a réduit les pertes de commutation. Il est également doté d'un RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente.
Testé à 100 % en avalanche
Protégé contre les Zener