MOSFET canal N STMicroelectronics 100 A 1.2 kV Épuisement, 7 broches, H2PAK SCT Non
- Code commande RS:
- 202-5486P
- Référence fabricant:
- SCTW100N65G2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 202-5486P
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- SCTW100N65G2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Série | SCT | |
| Type de Boitier | H2PAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.105Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 420W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 162nC | |
| Tension directe Vf | 2.8V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Hauteur | 34.95mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Série SCT | ||
Type de Boitier H2PAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.105Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 420W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 162nC | ||
Tension directe Vf 2.8V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Longueur 15.75mm | ||
Hauteur 34.95mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation.
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Capacité faible