MOSFET canal N onsemi 14 A 80 V Enrichissement, 8 broches, WDFN NVT AEC-Q101

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202-5751
Référence fabricant:
NVTFS6H888NLTAG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

14A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

WDFN

Série

NVT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

50mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

23W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

3.55mm

Longueur

3.55mm

Normes/homologations

No

Largeur

800μm

Standard automobile

AEC-Q101

On Semiconductor N canal MOSFET fonctionne avec 14 A et 80 V. Il est doté d'un encombrement réduit pour une conception compacte avec un faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction.

Certifié AEC Q101

Conforme à la directive RoHS

Sans plomb

Produit à flanc mouillable

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