MOSFET N STMicroelectronics 33 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 DM6
- Code commande RS:
- 204-3948P
- Référence fabricant:
- STW50N65DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total 20 unités (conditionné en tube)*
96,40 €
HT
115,60 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 22 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 20 - 98 | 4,82 € |
| 100 - 198 | 4,71 € |
| 200 + | 4,655 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 204-3948P
- Référence fabricant:
- STW50N65DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 33A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | DM6 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 91mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 52.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Hauteur | 20.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 33A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série DM6 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 91mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 52.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 5.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 15.75mm | ||
Hauteur 20.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Diode de corps à récupération rapide
RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Testé à 100 % en avalanche
Robustesse dv/dt extrêmement élevée
Protégé contre les Zener