MOSFET canal N onsemi 32 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PQFN NTMFS006N08MC
- Code commande RS:
- 205-2425
- Référence fabricant:
- NTMFS006N08MC
- Marque:
- onsemi
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Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 32A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | NTMFS006N08MC | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 30nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 78W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.1mm | |
| Longueur | 6.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 32A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série NTMFS006N08MC | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 30nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 78W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.1mm | ||
Longueur 6.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET MV à canal N 150 V de la série on Semiconductor Power Trench est produit à l'aide d'un processus Advanced qui intègre la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant d'excellentes performances de commutation avec une diode de corps progressive haut de gamme.
Max rDS(on) = 11,5 Mohm à VGS est de 10 V, ID de 35 A.
Faible perte de conduction
La valeur maximale rDS(on) est de 13,2 Mohm à VGS est de 8 V, l'ID est de 18 A.
QRR 50 % plus faible que les autres fournisseurs de mosfet
Réduit le bruit de commutation/IEM
Conception de boîtier robuste MSL1
Testé à 100 % UIL
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