MOSFET N DiodesZetex 6.9 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 DMN6022 AEC-Q101

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Code commande RS:
206-0090
Référence fabricant:
DMN6022SSS-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

6.9A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

DMN6022

Type de Boitier

SO-8

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

34mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.3W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.4mm

Longueur

4.85mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET DiodesZetex à mode d'amélioration de canal N 60 V est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Sa tension de grille-source est de 20 V avec une dissipation thermique de 1,3 W.

Faible résistance à l'état passant

Faible capacité d'entrée

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