MOSFET canal N DiodesZetex 98 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060 DMT6006

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Code commande RS:
206-0148
Référence fabricant:
DMT6006SPS-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

98A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

DMT6006

Type de Boitier

PowerDI5060

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

6.2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

2.45W

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

27.9nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

5.15mm

Longueur

6.15mm

Hauteur

900μm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET DiodesZetex 60 V, 8 broches à mode d'amélioration canal N est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Sa tension de grille-source est de 20 V avec une dissipation thermique de 2,45 W.

Faible RDS(ON) - garantit que les pertes à l'état passant sont minimisées

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