MOSFET canal N STMicroelectronics 36 A 600 V Enrichissement, 8 broches, TO-LL STP50N60DM6
- Code commande RS:
- 206-8634P
- Référence fabricant:
- STP50N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 20 - 98 | 5,575 € |
| 100 - 198 | 4,98 € |
| 200 + | 4,28 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 206-8634P
- Référence fabricant:
- STP50N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 36A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-LL | |
| Série | STP50N60DM6 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 80mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 55nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 28.9mm | |
| Largeur | 10mm | |
| Hauteur | 4.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 36A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-LL | ||
Série STP50N60DM6 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 80mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 55nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 28.9mm | ||
Largeur 10mm | ||
Hauteur 4.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Diode de corps à récupération rapide
RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Testé à 100 % en avalanche
Robustesse dv/dt extrêmement élevée
Protégé contre les Zener